Transistores de efecto de campo tipo p de alto rendimiento que utilizan
- Clasificación:Agente químico auxiliar
- N.º CAS:117-84-0
- Otros nombres:Ftalato de dioctilo DOP
- MF:C6H4(COOC8H17)2
- N.º EINECS:201-557-4
- Pureza:99,5 %
- Tipo:Estabilizador de calcio y zinc no tóxico
- Uso:Aditivos de petróleo, Agentes auxiliares de plástico, Auxiliares de caucho Agentes
- Cantidad mínima de pedido: 200 kg
- Paquete: 200 kg/batalla
- Forma: polvo
- Modelo: aceite Dop para PVC
- Almacenamiento: lugar seco
Estos avances incluyen avances en el crecimiento de materiales de alta calidad 8,9, ingeniería de contacto 10,11, Al2O3 cultivado con ALD, que se sabe que introduce dopaje de tipo n en 2D
Un tema clave en el desarrollo de dispositivos semiconductores de alto rendimiento basados en películas delgadas de 2H-MoTe2 es la detección de cómo el dopaje afecta las propiedades electrónicas
Fibras semiconductoras de alta calidad mediante diseño mecánico
- Clasificación:Agente químico auxiliar, Agente químico auxiliar
- CAS no 117-84-0
- Otros nombres:Dop
- MF:C6H4(COOC8H17)2
- EINECS No.:201-557-4
- Pureza:99.5%
- Tipo:Negro de carbón
- Uso:Agente químico auxiliar, Agentes auxiliares de cuero
- MOQ:200kgs
- Paquete:200kgs/batalla
- Forma:Polvo
- Modelo:Aceite Dop para PVC
Se ha desarrollado un diseño mecánico para la fabricación de fibras semiconductoras ultralargas, libres de fracturas y de perturbaciones para abordar la creciente demanda de
El β-Ga2O3, como semiconductor de banda prohibida ultraancha, ha surgido como el candidato más prometedor en fotodetectores ciegos a la luz solar. La aplicación práctica del β-Ga2O3,
Dopaje de tipo n de alta eficiencia de compuestos orgánicos
- Clasificación:Agente químico auxiliar
- N.º CAS:117-84-0
- Otros nombres:DOP/ftalato de dioctilo
- MF:C24H38O4, C24H38O4
- N.º EINECS:201-557-4
- Pureza:99,6 %, 99,6 %
- Tipo:aditivo de PVC
- Uso:Agentes auxiliares de plástico
- Cantidad mínima de pedido:10 Toneladas
- Paquete: 25 kg/tambor
- Forma: Polvo
- Modelo: Aceite Dop para PVC
Mediante una cuidadosa selección de los dopantes y líquidos iónicos adecuados, se consiguen niveles de dopaje elevados en un período de tiempo notablemente corto, lo que da como resultado la conductividad más alta (casi 1 × 10 − 2 S cm − ¹) en comparación con otros dopajes
El dopaje de materiales semiconductores desempeña un papel crucial en el ajuste de las propiedades eléctricas de los materiales. La implantación de iones se utiliza ampliamente en la actualidad. Sin embargo, esta técnica se enfrenta a desafíos
Dopaje de modulación de alta eficiencia: un camino hacia
- Clasificación:Agente químico auxiliar
- N.º CAS:117-84-0
- Otros nombres:Ftalato de dioctilo DOP
- MF:C24H38O4, C24H38O4
- N.º EINECS:201-557-4
- Pureza:99,5 % mín.
- Tipo:Explosión petrolífera
- Uso:Agentes auxiliares de revestimiento, Agentes auxiliares de plástico, Agentes auxiliares de caucho Agentes
- MOQ: 200 kg
- Paquete: 200 kg/batalla
- Palabras clave: Plastificante Dop
El dopaje eficiente para la creación de portadores de carga es clave en la tecnología de semiconductores. En el caso del silicio, el dopaje eficiente mediante impurezas superficiales ya se demostró en 1949 (). En el desarrollo de otros semiconductores
El dopaje, como técnica principal para modificar el transporte de semiconductores, ha logrado un éxito tremendo en las últimas décadas. Por ejemplo, el dopaje de Si con boro y fósforo modula el tipo de portador dominante
Efectos del dopaje y su relación con el mismo
- Clasificación:Agente químico auxiliar
- N.º CAS:117-84-0
- Otros nombres:Ftalato de dioctilo DOP
- MF:C6H4(COOC8H17)2
- N.º EINECS:201-557-4
- Pureza:99,6 %
- Tipo:Adsorbente
- Uso:Agentes auxiliares de revestimiento, agentes auxiliares de cuero, agentes auxiliares de plástico, agentes auxiliares de caucho
- MOQ::10 Toneladas
- Paquete: 25 kg/tambor
- Pago: T/T
El proceso de dopaje es muy importante en la tecnología de semiconductores, que se utiliza ampliamente en la producción de dispositivos electrónicos. Los efectos del dopaje en la resistividad, la movilidad y la brecha de banda de energía
Una revisión. Los iones Mn2+ dopados en nanocristales de semiconductores que absorben alta energía eliminan la energía del excitón y dan como resultado una emisión dd polarizada por espín. Durante las últimas tres décadas, esto ha sido ampliamente utilizado
