Dopaje preciso de tipo p y tipo n de estructuras bidimensionales
- Clasificación:Agente químico auxiliar
- N.º CAS:117-84-0
- Otros nombres:DOP líquido, aceite DOP
- MF:C24H38O4, C24H38O4
- N.º EINECS:201-557-4
- Pureza:99,5 % mín., 99,5 % mín.
- Tipo:Adsorbente, negro de carbón
- Uso:Plastificante
- MOQ:200 kg
- Paquete:200 kg/batalla
- Lugar de Origen::China
- Ventaja:Estable
En cambio, en el caso del 2H-MoTe 2 dopado con Re, a niveles bajos de dopaje de 0,06 % de Re, el canal mostró un comportamiento de transporte ambipolar y, al aumentar la concentración de dopaje, el canal exhibió n
Existen dos tipos principales de dopaje de semiconductores: tipo P y tipo N. Juntos, dan lugar a un semiconductor extrínseco. 1. Tipo P. En el dopaje tipo P, las impurezas crean un exceso de huecos con carga positiva en el cristal.
Dopaje de modulación de alta eficiencia: un camino hacia
- Clasificación:Agente químico auxiliar
- N.º CAS:117-84-0
- Otros nombres:Agente químico auxiliar
- MF:C24H38O4, C24H38O4
- N.º EINECS:201-557-4
- Pureza:99,5 % mín.
- Tipo:Adsorbente, negro de carbón
- Uso:Agentes auxiliares para cuero, Productos químicos para papel, Agentes auxiliares para plástico, Agentes auxiliares para caucho, Auxiliares textiles Agentes
- MOQ: 200 kg
- Paquete: 200 kg/batalla
- Lugar de origen: China
- Ventaja: estable
El dopaje eficiente para la creación de portadores de carga es clave en la tecnología de semiconductores. En el caso del silicio, el dopaje eficiente mediante impurezas superficiales ya se demostró en 1949 (). En el desarrollo de otros semiconductores
Los semiconductores convencionales suelen tener concentraciones de dopaje bajas o intermedias y una constante dieléctrica pequeña, que en conjunto indican el predominio de
¿Por qué y cómo se dopan los semiconductores?
- Clasificación:Agente químico auxiliar, Agente químico auxiliar
- CAS no 117-84-0
- Otros nombres:DOP/Ftalato de dioctilo
- MF:C24H38O4
- EINECS No.:201-557-4
- Pureza:99,5
- Tipo:Plastificante
- Uso:Auxiliar de caucho Agentes
- MOQ: 200 kg
- Paquete: 200 kg/batalla
- Forma: Polvo
- Forma: Polvo
- Modelo: Aceite Dop para PVC
El movimiento o desplazamiento de los átomos de impurezas desde un área de alta concentración a un área de baja concentración se denomina difusión. La predeposición y la introducción son las dos etapas por las que pasa el proceso.
La esencia de un efecto de dopaje electrónico es un desplazamiento del nivel de Fermi EF hacia los estados más ocupados (dopaje p) o más desocupados (dopaje n) 27,28, con el
Nanocristal semiconductor altamente dopado
- Clasificación:Agente auxiliar químico, Agente auxiliar químico
- CAS No. 117-84-0
- Otros nombres:Agente auxiliar químico
- MF:C24H38O4, C24H38O4
- EINECS No.:201-557-4
- Pureza:99.5%min, 99.5%min
- Tipo:Agentes auxiliares de plástico
- Uso:Agentes auxiliares de revestimiento, Agentes auxiliares de plástico, Agentes auxiliares de caucho
- MOQ::10 Toneladas
- Paquete: 25 kg/tambor
- Forma: Polvo
- Ventaja: Estable
- Palabras clave: Plastificante Dop
Añadir incluso un solo átomo de impureza a un semiconductor NC con un diámetro de 4 nm, que contiene alrededor de 1000 átomos, conduce a un nivel de dopaje nominal de 7 × 10 19 cm –3. En un semiconductor a granel, esto ya está dentro de los límites de
El dopaje, como técnica principal para modificar el transporte de semiconductores, ha logrado un enorme éxito en las últimas décadas. Por ejemplo, el dopaje de Si con boro y fósforo modula el tipo de portador dominante
Dopaje por transferencia de superficie de semiconductores
- Clasificación:Agente auxiliar químico, Agente auxiliar químico
- CAS no 117-84-0
- Otros nombres:DOP, Ftalato de dioctilo
- MF:C24H38O4
- EINECS No.:201-557-4
- Pureza:99.5, ≥99.5
- Tipo:Aditivos químicos, Plastificante químico dop 99%
- Uso:Agentes auxiliares para cuero, Agentes auxiliares para plástico, Plastificante
- Cantidad mínima de pedido: 200 kg
- Paquete: 200 kg/batalla
- Almacenamiento: Lugar seco
El “dopaje” de semiconductores, es decir, la manipulación local de su conductividad, es una tecnología clave para los dispositivos electrónicos. Sin el dopaje, por ejemplo, una muestra de nitruro de galio más grande que la Casa Blanca sería
El aumento de la concentración de portadores libres en el silicio es un problema acuciante en la electrónica moderna. Los donantes comunes de nivel superficial como P y As solo permiten un dopaje eléctricamente activo hasta
- ¿Afecta el dopaje intenso a un semiconductor en masa?
- En un semiconductor en masa, esto ya está dentro del límite de dopaje intenso, donde se espera un comportamiento metálico ("degenerado") (20). El dopaje intenso en semiconductores en masa conduce a varios efectos resumidos en la Fig. 1A.
- ¿Por qué los semiconductores tienen bajas concentraciones de dopaje?
- Los semiconductores convencionales suelen tener concentraciones de dopaje bajas a intermedias y una constante dieléctrica pequeña, que juntas indican el predominio del potencial de Coulomb en el gobierno de sus dispersiones de electrones y la relativa poca importancia de la selección del dopante (Fig. 2a).
- ¿Qué es el dopaje en semiconductores?
- La fusión de partículas impuras en un material semiconductor prístino se conoce como dopaje. Los átomos impuros aquí aluden a aquellos que varían del semiconductor puro. El dopaje permite a los investigadores manipular la conductancia de un semiconductor utilizando las características de un grupo de elementos conocidos como dopantes.
- ¿Se puede utilizar el dopaje sustitutivo de semiconductores bidimensionales para películas delgadas?
- En este estudio, ideamos un método preciso para el dopaje sustitutivo de semiconductores bidimensionales (2D), que permite la producción de películas delgadas de 2H-MoTe 2 a escala de oblea con dopaje específico de tipo p o tipo n.
- ¿Qué es el dopaje de modulación?
- El dopaje de modulación es un método de dopaje ampliamente utilizado en semiconductores inorgánicos en el que un semiconductor de banda prohibida ancha muy dopado se pone en contacto con un semiconductor de banda prohibida estrecha. El dopaje eficiente en la interfaz de la heteroestructura se logra mediante la transferencia de carga desde el semiconductor de banda ancha al semiconductor de banda estrecha.
- ¿Cuáles son los productos basados en dopaje más exitosos?
- El producto más exitoso hasta ahora es la pantalla de diodo orgánico emisor de luz con un mercado multimillonario en dólares estadounidenses, que utiliza dopaje mediante coevaporación controlada de semiconductores de moléculas pequeñas y moléculas dopantes ( 5 ). La naturaleza microscópica del dopaje en semiconductores orgánicos es muy diferente de la de los semiconductores inorgánicos ( 6 ).
