El papel del dopaje en los semiconductores: una
- Clasificación:Agente químico auxiliar
- N.º CAS:117-84-0
- Otros nombres:Agente químico auxiliar
- MF:C6H4(COOC8H17)2
- N.º EINECS:201-557-4
- Pureza:99 %
- Tipo:Adsorbente
- Uso:Zapatos de PVC,Zapatos de PVC/DIP con soplado de aire/expansión de PVC
- Cantidad mínima de pedido:10 toneladas
- Paquete:25 kg/tambor
- Aplicación:Plastificante de PVC
Explore el papel fundamental del dopaje en la conformación de las propiedades y el rendimiento de los semiconductores. Obtenga conocimientos profundos en esta descripción general. pero también presenta desafíos relacionados con la pureza, la confiabilidad y el proceso del material
El dopaje de semiconductores es el proceso deliberado de introducir impurezas en materiales semiconductores altamente puros para modular sus propiedades eléctricas. Este paso crucial de fabricación permite que el silicio y otros
Dopaje de silicio mediante transmutación neutrónica MIT
- Clasificación:Agente auxiliar químico, Agente auxiliar químico
- CAS No. 117-84-0
- Otros nombres:Ftalato de dioctilo
- MF:C24H38O4
- EINECS No.:201-557-4
- Pureza:99,9%
- Tipo:Agentes auxiliares plásticos
- Uso:Agentes auxiliares plásticos, Agentes auxiliares textiles
- MOQ::10 Toneladas
- Paquete:25 kg/tambor
- Forma:Polvo
El proceso NTD se lleva a cabo cuando el silicio no dopado (de alta pureza) se irradia en un flujo de neutrones térmicos. El propósito del dopaje de semiconductores es crear electrones libres (baja resistividad). El neutrón térmico es capturado por el átomo de 30Si,
Sin embargo, la producción de semiconductores de alta pureza, incluido el Si, todavía tiene un alto costo de capital, un alto consumo de energía y una gran contaminación. Aprovechando el pequeño tamaño y la gran relación superficie-volumen de los semiconductores,
Técnicas de dopaje SpringerLink
- Clasificación:Agente químico auxiliar
- N.º CAS:117-84-0
- Otros nombres:Ftalato de dioctilo
- MF:C24H38O4
- N.º EINECS:201-557-4
- Pureza:99,5 %, 99 % mín.
- Tipo:Adsorbente
- Uso:Agentes auxiliares de revestimiento, Productos químicos para electrónica, Agentes auxiliares para cuero, Agentes auxiliares para plástico, Agentes auxiliares para caucho Agentes
- MOQ: 200 kg
- Paquete: 200 kg/batalla
- Forma: polvo
- Resistividad volumétrica: 998
- Artículo: T/T, L/C
La adición de dopantes provoca un aumento, debilitamiento o inversión del dopado del sustrato en áreas definidas de la superficie del semiconductor. El dopado introducido por lo tanto
El aumento de la concentración de portadores libres en el silicio es un problema acuciante en la electrónica moderna. Los donantes de nivel superficial comunes como P y As solo permiten un dopado eléctricamente activo hasta
Dopaje de semiconductores: definición, tipos
- Clasificación:Agente químico auxiliar, Agente químico auxiliar
- CAS no 117-84-0
- Otros nombres:DOP/Ftalato de dioctilo
- MF:C6H4(COOC8H17)2
- EINECS No.:201-557-4
- Pureza:99,5 % mín.
- Tipo:Plastificante
- Uso:Productos de PVC, Agentes auxiliares de revestimiento, Agentes auxiliares de cuero,
- MOQ::10 Toneladas
- Paquete: 25 kg/tambor
- Forma: Polvo
- Forma: Polvo
- Modelo: Aceite Dop para PVC
Existen dos tipos principales de dopaje de semiconductores: tipo P y tipo N. Juntos, dan lugar a un semiconductor extrínseco. 1. Tipo P. En el dopaje de tipo P, las impurezas crean un exceso de huecos con carga positiva en el cristal.
La industria de semiconductores de silicio requiere una alta pureza y concentraciones mínimas de defectos en sus cristales de silicio para optimizar el rendimiento de fabricación de dispositivos y el rendimiento operativo. Se descubrió que el dopaje
Dopaje de modulación de alta eficiencia: un camino hacia
- Clasificación:Agente auxiliar químico, Agente auxiliar químico
- CAS no 117-84-0
- Otros nombres:Ftalato de dioctilo DOP
- MF:C24H38O4, C24H38O4
- Número EINECS:201-557-4
- Pureza:99,5 % mín.
- Tipo:Aditivos químicos, Plastificante químico dop 99 %
- Uso:Agentes auxiliares para cuero, Agentes auxiliares para plástico, Plastificante
- MOQ: 200 kg
- Paquete: 200 kg/batalla
- Lugar de origen: China
- Ventaja: estable
El dopaje eficiente para la creación de portadores de carga es clave en la tecnología de semiconductores. En el caso del silicio, el dopaje eficiente mediante impurezas superficiales ya se demostró en 1949 (). En el desarrollo de otros semiconductores
Sin embargo, la producción de semiconductores de alta pureza, incluido el silicio, sigue siendo de alto costo de capital, alto consumo de energía y alta contaminación. Aprovechar el pequeño tamaño y la gran relación superficie-volumen de los semiconductores
- ¿Cuál es el propósito del dopaje de semiconductores?
- El propósito del dopaje de semiconductores es crear electrones libres (baja resistividad). El neutrón térmico es capturado por el átomo de 30Si, que tiene una abundancia del 3% en Si puro. Debido a la alta relación neutrón/protón de 31Si, liberará un beta y, al convertir un neutrón en un protón, el átomo de Si-31 se transmuta en un átomo de P-31.
- ¿Cómo afecta el dopaje a las propiedades eléctricas de un semiconductor?
- El dopaje introducido cambia así las propiedades eléctricas del silicio. Dependiendo del tipo de dopantes (aceptores o donantes) añadidos al cristal, el semiconductor adquiere un carácter de tipo p o de tipo n. La concentración neta de dopantes determina la resistencia eléctrica del material.
- ¿Cuáles son los diferentes tipos de dopaje en semiconductores?
- Los diferentes tipos de dopaje en semiconductores incluyen principalmente la introducción de dopantes de tipo n y tipo p en materiales como el silicio y el germanio, cada uno de los cuales imparte características eléctricas y perfiles de conductividad distintos al semiconductor.
- ¿Cómo afectan los dopantes a un semiconductor?
- La adición de dopantes conduce a un aumento, debilitamiento o inversión del dopaje del sustrato en áreas definidas de la superficie del semiconductor. El dopaje introducido cambia así las propiedades eléctricas del silicio. Dependiendo del tipo de dopantes (aceptores o donantes) añadidos al cristal, el semiconductor adquiere un carácter de tipo p o de tipo n.
- ¿Cuáles son los productos basados en el dopaje que han tenido más éxito?
- El producto que ha tenido más éxito hasta ahora es la pantalla de diodos orgánicos emisores de luz, con un mercado multimillonario en dólares estadounidenses, que utiliza el dopaje mediante coevaporación controlada de semiconductores de moléculas pequeñas y moléculas dopantes ( 5 ). La naturaleza microscópica del dopaje en semiconductores orgánicos es muy diferente a la de los semiconductores inorgánicos ( 6 ).
- ¿Cómo funciona el dopaje de tipo p?
- El dopaje de tipo P introduce impurezas con menos electrones de valencia que los que posee el propio semiconductor intrínseco. En el caso del silicio, los elementos del grupo III, como el boro o el galio, son los adecuados. Los átomos de impurezas se unen con sus vecinos semiconductores, pero dejan espacios vacíos en la red ya que tienen menos electrones para compartir.
