Dopaje de semiconductores: definición, tipos
- Clasificación:Agente químico auxiliar, Agente químico auxiliar
- CAS no 117-84-0
- Otros nombres:Agente químico auxiliar
- MF:C6H4(COOC8H17)2
- EINECS No.:201-557-4
- Pureza:99.5% min
- Tipo:Líquido, plastificante
- Uso:Productos de PVC, Agentes auxiliares de revestimiento, Agentes auxiliares de cuero,
- MOQ::10 Toneladas
- Paquete:25kg/tambor
- Lugar de Origen: China
- Artículo: T/T, L/C
Existen dos tipos principales de dopaje de semiconductores: el tipo P y el tipo N. Juntos, dan lugar a un semiconductor extrínseco. 1. Tipo P. En el dopaje de tipo P, las impurezas crean un exceso de huecos con carga positiva en el cristal.
El dopaje electrónico de semiconductores orgánicos es esencial para su uso en dispositivos optoelectrónicos de alta eficiencia. 500 rpm) y la muestra se recoció en una placa caliente a
Dopaje preciso de tipo p y tipo n de estructuras bidimensionales
- Clasificación:Agente químico auxiliar
- N.º CAS:117-84-0
- Otros nombres:Ftalato de dioctilo
- MF:C24H38O4, C24H38O4
- N.º EINECS:201-557-4
- Pureza:99,5 % mín., 99,5 % mín.
- Tipo:Plastificante, ftalato de dioctilo
- Uso:Agentes auxiliares de revestimiento, Productos químicos para electrónica, Agentes auxiliares para cuero, Agentes auxiliares para plástico, Auxiliares para caucho Agentes
- MOQ: 200 kg
- Paquete: 200 kg/batalla
- Palabras clave: Plastificante Dop
En la actualidad, todavía se está desarrollando un método general para el dopaje controlable de tipo p y tipo n de semiconductores 2D, y mucho menos la preparación modelada de canales de tipo p y tipo n.
El dopaje químico es un enfoque importante para manipular la concentración y el transporte de portadores de carga en semiconductores orgánicos (OSC) 1,2,3 y, en última instancia, mejora
Dopaje de tipo n de alta eficiencia de compuestos orgánicos
- Clasificación:Agente químico auxiliar, Agente químico auxiliar
- CAS no 117-84-0
- Otros nombres:Ftalato de dioctilo DOP
- MF:C24H38O4
- EINECS No.:201-557-4
- Pureza:99,5, ≥99,5
- Tipo:Aditivos químicos, Plastificante químico dop 99%
- Uso:Agentes auxiliares de revestimiento, Agentes auxiliares de plástico, Auxiliares de caucho Agentes
- MOQ: 200 kg
- Paquete: 200 kg/batalla
- Lugar de origen: China
Mediante una cuidadosa selección de los dopantes y líquidos iónicos adecuados, se consiguen niveles de dopaje elevados en un período de tiempo notablemente corto, lo que da como resultado la conductividad más alta (casi 1 × 10 − 2 S cm − ¹) en comparación con otros dopajes
El “dopaje” de semiconductores, es decir, la manipulación local de su conductividad, es una tecnología clave para los dispositivos electrónicos. Sin el dopaje, por ejemplo, una muestra de nitruro de galio más grande que la Casa Blanca sería
Dopaje de semiconductores bidimensionales: A
- Clasificación: Agente químico auxiliar
- N.º CAS: 117-84-0
- Otros nombres: DOP líquido, aceite DOP
- MF: C24H38O4
- N.º EINECS: 201-557-4
- Pureza: ≥99,5 %
- Tipo: Plastificante, ftalato de dioctilo
- Uso: Agentes auxiliares plásticos, Agentes auxiliares textiles
- MOQ: 200 kg
- Paquete: 200 kg/batalla
- Ventaja: Estable
El dopaje, como técnica primaria para modificar el transporte de semiconductores, ha logrado un éxito tremendo en las últimas décadas. Por ejemplo, el dopaje de Si con boro y fósforo modula el tipo de portador dominante
Los semiconductores, a menudo conocidos como microchips informáticos o circuitos integrados (CI), son una parte integral de los equipos digitales, desde computadoras hasta electrodomésticos, instrumentos de diagnóstico y sistemas militares.
Nanocristal semiconductor altamente dopado
- Clasificación:Agente químico auxiliar, Agente químico auxiliar
- CAS no 117-84-0
- Otros nombres:Agente químico auxiliar
- MF:C24H38O4
- EINECS No.:201-557-4
- Pureza:99.5%, 99% mín
- Tipo:Adsorbente, plastificante
- Uso:Agentes auxiliares para cuero, Productos químicos para papel, Aditivos de petróleo, Agentes auxiliares para plástico, Agentes auxiliares para caucho, Agentes auxiliares para textiles, Agente auxiliar para cuero, Auxiliares para plástico Agente,
- MOQ: 200 kg
- Paquete: 200 kg/batalla
- Forma: polvo
- Modelo: aceite Dop para PVC
Añadir incluso un solo átomo de impureza a un semiconductor NC con un diámetro de 4 nm, que contiene alrededor de 1000 átomos, conduce a un nivel de dopaje nominal de 7 × 10 19 cm –3. En un semiconductor en masa, esto ya está dentro de los límites
7 de julio de 2005El dopaje (la introducción intencional de impurezas en un material) es fundamental para controlar las propiedades de los semiconductores en masa. Esto ha estimulado esfuerzos similares para dopar semiconductores
- ¿Cuáles son los productos basados en dopaje que han tenido más éxito?
- El producto más exitoso hasta ahora es la pantalla de diodos orgánicos emisores de luz con un mercado multimillonario en dólares estadounidenses, que utiliza dopaje mediante coevaporación controlada de semiconductores de moléculas pequeñas y moléculas dopantes ( 5 ). La naturaleza microscópica del dopaje en semiconductores orgánicos es muy diferente de la de los semiconductores inorgánicos ( 6 ).
- ¿Qué es el dopaje de semiconductores?
- El dopaje de semiconductores es un proceso clave en electrónica. Implica agregar pequeñas cantidades de impurezas específicas a un material semiconductor puro, como el silicio, para cambiar sus propiedades eléctricas. Este proceso ayuda al semiconductor a conducir mejor la electricidad y hace que los dispositivos electrónicos como transistores y diodos funcionen correctamente.
- ¿Qué es el dopaje de semiconductores a granel?
- El dopaje de semiconductores a granel, el proceso de inserción intencional de átomos de impurezas en un cristal, se introdujo en la década de 1940 y es la base para la aplicación generalizada de semiconductores en componentes electrónicos y electroópticos (1).
- ¿Qué es el dopaje de modulación?
- El dopaje de modulación es un método de dopaje ampliamente utilizado en semiconductores inorgánicos en el que un semiconductor de banda prohibida ancha fuertemente dopado se pone en contacto con un semiconductor de banda prohibida estrecha. El dopaje eficiente en la interfaz de la heteroestructura se logra mediante la transferencia de carga desde el semiconductor de banda ancha al semiconductor de banda estrecha.
- ¿Cuál es la naturaleza microscópica del dopaje en semiconductores orgánicos?
- La naturaleza microscópica del dopaje en semiconductores orgánicos es muy diferente de la de los semiconductores inorgánicos ( 6 ). Una diferencia particularmente relevante es que las concentraciones de dopante en los orgánicos suelen ser órdenes de magnitud más altas que en los inorgánicos para saturar el alto nivel de trampas profundas en estos materiales ( 7 ).
- ¿Se puede utilizar el dopaje sustitutivo de semiconductores bidimensionales para películas delgadas?
- En este estudio, ideamos un método preciso para el dopaje sustitutivo de semiconductores bidimensionales (2D), que permite la producción de películas delgadas de 2H-MoTe 2 a escala de oblea con dopaje específico de tipo p o tipo n.
