Dopaje de modulación de alta eficiencia: un camino hacia
- Clasificación:Agente químico auxiliar
- N.º CAS:117-84-0
- Otros nombres:Ftalato de dioctilo DOP
- MF:C24H38O4, C24H38O4
- N.º EINECS:201-557-4
- Pureza:99,5 % mín.
- Tipo:Estabilizador de calcio y zinc no tóxico
- Uso:Agentes auxiliares de plástico, plastificante
- MOQ:200 kg
- Paquete:200 kg/batalla
- Modelo:Aceite Dop para Pvc
- Almacenamiento: Lugar seco
El dopaje eficiente para la creación de portadores de carga es clave en la tecnología de semiconductores. En el caso del silicio, el dopaje eficiente mediante impurezas superficiales ya se demostró en 1949 (). En el desarrollo de otros semiconductores
El dopaje (la introducción controlada de impurezas en un material para manipular sus propiedades) es una herramienta esencial en la construcción de dispositivos electrónicos. Con el silicio, los iones
Dopaje de semiconductores: definición, tipos
- Clasificación:Agente químico auxiliar
- N.º CAS:117-84-0
- Otros nombres:DOP, ftalato de dioctilo, 1,2-ftalato
- MF:C6H4(COOC8H17)2
- N.º EINECS:201-557-4
- Pureza:99,5 %, mín. 99,9 %
- Tipo:Explosión petrolífera
- Uso:Agentes auxiliares de plástico, agentes auxiliares de caucho
- MOQ::10 Toneladas
- Paquete: 25 kg/tambor
- Certificado::COA
Existen dos tipos principales de dopaje de semiconductores: el tipo P y el tipo N. Juntos, dan lugar a un semiconductor extrínseco. 1. Tipo P. En el dopaje de tipo P, las impurezas crean un exceso de huecos con carga positiva en el cristal.
La técnica para dopar materiales semiconductores 2D a escala nanométrica es comparable a la utilizada para el silicio, sin embargo, su mecanismo de funcionamiento tiene una ligera variación. Cuando se trata de enfoques de dopaje que complementan el dopaje,
¿Cómo afecta el dopaje a la conductividad de un
- Clasificación:Agente auxiliar químico, Agente auxiliar químico
- CAS no 117-84-0
- Otros nombres:Ftalato de dioctilo DOP
- MF:C24H38O4, C24H38O4
- EINECS No.:201-557-4
- Pureza:99.5% min, 99.5% min
- Tipo:Negro de carbón
- Uso:Agentes auxiliares de revestimiento, Agentes auxiliares de cuero, Aditivos de petróleo, Agentes auxiliares de plástico, Agentes auxiliares de caucho, Surfactantes, Auxiliares textiles Agentes
- MOQ: 200 kg
- Paquete: 200 kg/batalla
- Forma: polvo
- Lugar de origen: China
- Ventaja: estable
El dopaje de semiconductores es un proceso crítico en la fabricación de semiconductores y tiene un impacto significativo en su conductividad eléctrica. Al agregar impurezas específicas a un material semiconductor puro, los dopantes crean
Para minimizar los efectos del dopaje inducidos por el proceso, fabricamos transistores de efecto de campo de compuerta trasera en películas delgadas de 2H-MoTe 2 con diferentes tipos de dopaje y concentraciones de portadores cultivados directamente en
Dopaje graduado programable para reconfiguración
- Clasificación: Agente auxiliar químico, Agente auxiliar químico
- CAS No. 117-84-0
- Otros nombres: DOP líquido, Aceite DOP
- MF: C24H38O4, C24H38O4
- EINECS No.: 201-557-4
- Pureza: 99 % mín.
- Tipo: Negro de carbón
- Uso: Agentes auxiliares de revestimiento, Agentes auxiliares de plástico, Agentes auxiliares de caucho
- MOQ::10 Toneladas
- Paquete: 25 kg/tambor
- Pago: T/T
Las láminas de MoTe2 se exfoliaron mecánicamente a partir de una masa comercial de 2H-MoTe2 (2D Semiconductors) sobre sustratos de Si con SiO2 (óxido térmico, 90 nm de espesor) o Al2O3
El dopaje, como técnica principal para modificar el transporte de semiconductores, ha logrado un éxito tremendo en las últimas décadas. Por ejemplo, el dopaje de Si con boro y fósforo modula el tipo de portador dominante
Dopaje de semiconductores bidimensionales: un método rápido
- Clasificación:Agente auxiliar químico, Agente auxiliar químico
- CAS no 117-84-0
- Otros nombres:Ftalato de dioctilo
- MF:C6H4(COOC8H17)2
- EINECS No.:201-557-4
- Pureza:99.5%
- Tipo:Agentes auxiliares de plástico
- Uso:Agentes auxiliares de revestimiento, Agentes auxiliares de cuero, Agentes auxiliares de plástico, Agentes auxiliares de caucho, Agentes auxiliares de plástico, Agentes auxiliares de caucho Agentes
- MOQ: 200 kg
- Paquete: 200 kg/batalla
- Forma: polvo
El dopaje, como técnica principal para modificar el transporte de semiconductores, ha logrado un éxito tremendo en las últimas décadas. Por ejemplo, el dopaje de Si con boro y fósforo modula la
Creación de portadores de carga: el dopaje genera portadores de carga (electrones o huecos) vitales para el flujo de corriente dentro del semiconductor. Formación de uniones: las regiones dopadas de forma diferente crean uniones pn, lo que permite la construcción de diodos y
- ¿Qué es el dopaje de semiconductores?
- El dopaje de semiconductores es un proceso clave en electrónica. Implica añadir pequeñas cantidades de impurezas específicas a un material semiconductor puro, como el silicio, para cambiar sus propiedades eléctricas. Este proceso ayuda al semiconductor a conducir mejor la electricidad y hace que los dispositivos electrónicos como transistores y diodos funcionen correctamente.
- ¿Qué materiales se utilizan para el dopaje?
- Otros materiales son el aluminio, el indio (trivalente) y el arsénico, el antimonio (pentavalente). El dopante se integra en la estructura reticular del cristal semiconductor; la cantidad de electrones externos define el tipo de dopaje. Los elementos con 3 electrones de valencia se utilizan para el dopaje de tipo p, los elementos con 5 electrones para el dopaje de n.
- ¿Qué es el dopaje de tipo p?
- Tipo P En el dopaje de tipo P, las impurezas crean un exceso de huecos con carga positiva en la red cristalina, modificando su conductividad. Se utilizan elementos del Grupo III de la tabla periódica, como el boro, el aluminio o el galio.
- ¿Se puede utilizar el dopaje sustitutivo de semiconductores bidimensionales para películas delgadas?
- En este estudio, ideamos un método preciso para el dopaje sustitutivo de semiconductores bidimensionales (2D), que permite la producción de películas delgadas de 2H-MoTe 2 a escala de oblea con dopaje específico de tipo p o tipo n.
- ¿Qué es un semiconductor dopado de tipo p?
- El semiconductor dopado de tipo p más común es el boro. El proceso de dopaje se puede lograr a través de diferentes métodos, como la difusión o la implantación de iones. En la difusión, se introduce una fuente de dopante, generalmente en forma de gas o sólido, en el semiconductor y se permite que se difunda en el material.
- ¿Cómo afecta el dopaje de tipo n a la conductividad de un material?
- Estos elementos tienen un electrón de valencia menos que el semiconductor, lo que crea vacantes con carga positiva cuando reemplazan átomos semiconductores. Estos huecos atraen electrones libres, lo que contribuye a la conductividad del material. 2. Tipo N El dopaje de tipo N aumenta el número de portadores de carga negativa móviles.
