Dopaje preciso de tipo p y tipo n de estructuras bidimensionales
- Clasificación:Agente químico auxiliar, Agente químico auxiliar
- CAS no 117-84-0
- Otros nombres:DOP
- MF:C24H38O4
- EINECS No.:201-557-4
- Pureza:99,99, 99%
- Tipo:DOP
- Uso:Productos de PVC, Agentes auxiliares de revestimiento, Agentes auxiliares de cuero,
- MOQ::10 Toneladas
- Paquete:25 kg/tambor
- Forma:Polvo
- Volumen Resistividad: 722
- Artículo: T/T,L/C
En conjunción con otros desarrollos acelerados de la ingeniería de semiconductores 2D, como la resistencia de contacto reducida 33,34,35,36,37,38 y la mayor integración
La fabricación de fibras semiconductoras de alta calidad sugiere que nuestros hallazgos se pueden utilizar como guía para lograr un diseño mecánico para el método de núcleo fundido, como
Dopaje de tipo n de alta eficiencia de compuestos orgánicos
- Clasificación:Agente químico auxiliar
- N.º CAS:117-84-0
- Otros nombres:DOP
- MF:C24H38O4, C24H38O4
- N.º EINECS:201-557-4
- Pureza:99,0 % mín.
- Tipo:calcio-zinc no tóxico estabilizador
- Uso: plastificante
- MOQ: 200 kg
- Paquete: 200 kg/batalla
- Ventaja: estable
- Palabras clave: plastificante Dop
Mediante una cuidadosa selección de los dopantes y líquidos iónicos adecuados, se consiguen niveles de dopaje elevados en un período de tiempo notablemente corto, lo que da como resultado la conductividad más alta (casi 1 × 10 − 2 S cm − ¹) en comparación con otros dopajes
El dopaje eficiente para la creación de portadores de carga es clave en la tecnología de semiconductores. En el caso del silicio, el dopaje eficiente mediante impurezas superficiales ya se demostró en 1949 (). En el desarrollo de otros semiconductores
Nanocristales semiconductores dopados con Mn: 25 años
- Clasificación:Agente químico auxiliar
- N.º CAS:117-84-0
- Otros nombres:Agente químico auxiliar
- MF:C6H4(COOC8H17)2
- N.º EINECS:201-557-4
- Pureza:99
- Tipo:Adsorbente, Negro de carbón
- Uso:Agentes auxiliares para cuero, Productos químicos para papel, Aditivos de petróleo, Agentes auxiliares para plástico, Agentes auxiliares para caucho, Agentes auxiliares para textiles, Agente auxiliar para cuero, Auxiliares para plástico Agente,
- MOQ: 200 kg
- Paquete: 200 kg/batalla
- Forma: polvo
- Lugar de origen: China
- Ventaja: estable
El dopaje de Mn(II) en semiconductores con banda prohibida alta es ampliamente conocido por su emisión de color amarillo anaranjado, centrada típicamente entre 580 y 600 nm. La característica única de esta emisión que identifica su origen en Mn(II) es su mayor longitud de onda.
El dopaje, como técnica principal para modificar el transporte de semiconductores, ha logrado un enorme éxito en las últimas décadas. Por ejemplo, el dopaje de Si con boro y fósforo modula el tipo de portador dominante.
El papel del dopaje en los semiconductores: una
- Clasificación:Agente químico auxiliar
- N.º CAS:117-84-0
- Otros nombres:DOP/Ftalato de dioctilo
- MF:C24H38O4, C24H38O4
- N.º EINECS:201-557-4
- Pureza:99,5 % mín., 99,5 % mín.
- Tipo:Adsorbente, Negro de carbón
- Uso:Agentes auxiliares para cuero, Productos químicos para papel, Agentes auxiliares para plástico, Agentes auxiliares para caucho, Auxiliares para textiles Agentes
- MOQ: 200 kg
- Paquete: 200 kg/batalla
- Pago: T/T
- Certificado: COA
Este método de crecimiento controlado es esencial para producir semiconductores de alta calidad con características personalizadas, que cumplan con los requisitos de varios dispositivos electrónicos y optoelectrónicos. Optimizando el dopante
7 de julio de 2005Las propiedades de los semiconductores a granel se pueden modificar mediante dopaje, la incorporación intencional de impurezas. N., Charnock, FT y Kennedy, TA ZnSe dopado con manganeso de alta calidad
Alta temperatura y alta movilidad de electrones
- Clasificación:Agente auxiliar químico, Agente auxiliar químico
- CAS No. 117-84-0
- Otros nombres:Dop
- MF:C6H4(COOC8H17)2
- EINECS No.:201-557-4
- Pureza:99.5%, 99.9% mín.
- Tipo:Plastificante
- Uso:Agentes auxiliares de revestimiento, Agentes auxiliares de cuero, Agentes auxiliares de plástico, Agentes auxiliares de caucho, Agentes auxiliares de plástico, Agentes auxiliares de caucho
- MOQ::10 Toneladas
- Paquete: 25 kg/tambor
- Aplicación: plastificante de PVC
- Artículo: T/T, L/C
Capa epitaxial de diamante de tipo n de alta calidad ligeramente dopada con fósforo. A) Esquema de los pasos atómicos en el subestado de diamante mal cortado (111) (arriba) y la capa epitaxial dopada con fósforo desarrollada con terminación de hidrógeno (abajo).
Sin embargo, los esfuerzos para producir cintas semiconductoras de alta calidad no tuvieron éxito 11. Nótese que la densidad de carga n de un semiconductor de tipo p con una densidad de dopaje de N 0 está dada por 31
- ¿Qué es el dopaje en semiconductores?
- El dopaje en semiconductores encuentra diversas aplicaciones en dispositivos electrónicos y circuitos integrados, incluidos transistores, diodos, células solares, diodos emisores de luz (LED), chips de computadora y sensores, cada uno de los cuales se beneficia de propiedades de semiconductores personalizadas habilitadas por técnicas de dopaje específicas.
- ¿Cuáles son los productos más exitosos basados en el dopaje?
- El producto más exitoso hasta ahora es la pantalla de diodo emisor de luz orgánico con un mercado multimillonario en dólares estadounidenses, que utiliza el dopaje por coevaporación controlada de semiconductores de moléculas pequeñas y moléculas dopantes ( 5 ). La naturaleza microscópica del dopaje en semiconductores orgánicos es muy diferente a la de los semiconductores inorgánicos ( 6 ).
- ¿Se pueden modificar los semiconductores a granel mediante dopaje?
- Proporcionado por la iniciativa de intercambio de contenido Springer Nature SharedIt Las propiedades de los semiconductores a granel se pueden modificar mediante dopaje, la incorporación intencional de impurezas. El mismo método aplicado a los nanocristales semiconductores ha tenido un éxito limitado.
- ¿Se puede utilizar el dopaje sustitutivo de semiconductores bidimensional para películas delgadas?
- En este estudio, ideamos un método preciso para el dopaje sustitutivo de semiconductores bidimensional (2D), que permite la producción de películas delgadas de 2H-MoTe 2 a escala de oblea con dopaje específico de tipo p o tipo n.
- ¿Qué es el dopaje degenerado en un semiconductor?
- Nature Electronics (2024) Citar este artículo En los transistores de efecto de campo (FET) de silicio, se utiliza el dopaje degenerado del canal debajo de las regiones de fuente y drenaje para crear dispositivos de tipo n y p de alto rendimiento al reducir la resistencia de contacto. Los semiconductores bidimensionales, por el contrario, se han basado en la ingeniería de funciones de trabajo del metal.
- ¿Cuál es la naturaleza microscópica del dopaje en semiconductores orgánicos?
- La naturaleza microscópica del dopaje en semiconductores orgánicos es muy diferente de la de los semiconductores inorgánicos ( 6 ). Una diferencia particularmente relevante es que las concentraciones de dopante en los orgánicos suelen ser órdenes de magnitud superiores a las de los inorgánicos para saturar el alto nivel de trampas profundas en estos materiales ( 7 ).
