Dopaje preciso de tipo p y tipo n de estructuras bidimensionales
- Clasificación:Agente químico auxiliar
- N.º CAS:117-84-0
- Otros nombres:Dop
- MF:C24H38O4
- N.º EINECS:201-557-4
- Pureza:99%, 99%
- Tipo:Explosión petrolífera
- Uso:Aditivos de petróleo, Agentes auxiliares de plástico, Agentes auxiliares de caucho
- MOQ::10 toneladas
- Paquete:25 kg/tambor
- Forma:Polvo
- Lugar de Origen: China
- Artículo: T/T, L/C
En este estudio, ideamos un método preciso para el dopaje sustitutivo de semiconductores bidimensional (2D), que permite la producción de películas delgadas de 2H-MoTe2 a escala de oblea con un tipo p o n específico
El dopaje es un método crítico para mejorar las propiedades eléctricas de los polímeros semiconductores, con innovaciones en curso en moléculas dopantes y dopaje
Efecto de la concentración de Pr y los defectos nativos en la
- Clasificación:Agente químico auxiliar, Agente químico auxiliar
- CAS no 117-84-0
- Otros nombres:DOP, ftalato de dioctilo, 1,2-ftalato
- MF:C24H38O4, C24H38O4
- EINECS No.:201-557-4
- Pureza:99,5% mín.
- Tipo:Agentes auxiliares de plástico
- Uso:Agente químico auxiliar, Agentes auxiliares de cuero
- MOQ::10 Toneladas
- Paquete: 25 kg/tambor
- Ventaja: Estable
- Palabras clave: Plastificante Dop
Hace 3 díasEste método puede mejorar eficazmente la estabilidad del NBIS sin perder la buena conductividad del IZO, que puede mantener una alta movilidad de portadores, así como una buena estabilidad óptica de
Al elevar aún más la temperatura de transición vítrea del electrolito a 103,2 °C, se obtuvo una resolución de dopaje de<100 nm con una buena estabilidad en el aire (Fig. 9 complementaria). En particular, logramos una
Una revisión de los semiconductores de óxido metálico dopado en el
- Clasificación:Agente químico auxiliar, Agente químico auxiliar
- CAS no 117-84-0
- Otros nombres:DOP líquido, Aceite DOP
- MF:C24H38O4, C24H38O4
- EINECS No.:201-557-4
- Pureza:99%
- Tipo:Negro de carbón
- Uso:Agentes auxiliares de plástico, Auxiliares textiles Agentes
- MOQ: 200 kg
- Paquete: 200 kg/batalla
- Forma: polvo
- Aplicación: plastificante de PVC
Sin embargo, con el aumento de los tipos de dopaje y la influencia del dopaje en los semiconductores es más compleja, es imposible simplemente dividir los elementos dopantes en dos
1 Introducción. El disulfuro de molibdeno (MoS 2), un dicalcogenuro de metal de transición (TMD) 2D de última generación, ha atraído una gran atención en estudios recientes debido a sus excepcionales propiedades electrónicas, fotoeléctricas y energéticas
Dopaje molecular eficiente de semiconductores poliméricos
- Clasificación:Agente químico auxiliar
- N.º CAS:117-84-0
- Otros nombres:DOP/ftalato de dioctilo
- MF:C24H38O4, C24H38O4
- N.º EINECS:201-557-4
- Pureza:99,5 % mín.
- Tipo:Adsorbente, negro de carbón
- Uso:Productos de PVC, agentes auxiliares de revestimiento, agentes auxiliares de cuero,
- MOQ::10 Toneladas
- Paquete: 25 kg/tambor
- Forma: Polvo
- Modelo: Aceite Dop para PVC
- Almacenamiento: Lugar seco
El dopaje molecular redox se ha utilizado ampliamente para controlar las propiedades eléctricas de los semiconductores poliméricos, lo que constituye una herramienta poderosa para mejorar el rendimiento de muchos
El desarrollo de semiconductores orgánicos de tipo n (OSC) se ha quedado atrás del de los OSC de tipo p, principalmente debido a la disponibilidad limitada de las cadenas principales conjugadas π deficientes en electrones y al fácil atrapamiento de electrones por
Co-dopaje: una estrategia eficaz para lograr un tipo p estable
- Clasificación:Agente químico auxiliar
- N.º CAS:117-84-0
- Otros nombres:Agente químico auxiliar
- MF:C6H4(COOC8H17)2
- N.º EINECS:201-557-4
- Pureza:99,5 %
- Tipo:Estabilizador de calcio y zinc no tóxico
- Uso:Agentes auxiliares de revestimiento, agentes auxiliares de cuero, productos químicos de papel, agentes auxiliares de plástico, agentes auxiliares de caucho
- MOQ::10 Toneladas
- Paquete: 25 kg/tambor
- Pago: T/T
El ZnO co-dopado mostró una buena conductividad de tipo p con una concentración de huecos tan alta como 10 18 cm −3 y una estabilidad razonable de más de 15 meses [48]. Además, los LED basados en
1. Introducción 1.1. Transporte de carga y morfología de semiconductores orgánicos de tipo n Los semiconductores orgánicos (OSC) son materiales orgánicos que pueden pasar fácilmente de ser un buen conductor a un buen aislante, por lo que
- ¿Puede el dopaje por reacción acoplada mejorar la polaridad de los semiconductores orgánicos?
- Se ha desarrollado una serie de dopantes de tipo p para la preparación de polímeros conductores bipolares con la estrategia de reacción acoplada. Los resultados demuestran que el dopaje por reacción acoplada es una herramienta poderosa tanto para mejorar las propiedades eléctricas como para ajustar la polaridad de los portadores de semiconductores orgánicos para la electrónica orgánica moderna.
- ¿Cómo promover el dopaje molecular de semiconductores poliméricos?
- En principio, el dopaje molecular eficiente de semiconductores poliméricos se puede promover introduciendo una reacción termodinámicamente favorable mediante la adición de aditivos para convertir el proceso de dopaje en una reacción acoplada diseñada. Sin embargo, el dopaje por reacción acoplada aún carece de estudios para el dopaje de semiconductores orgánicos en trabajos previos.
- ¿Los OSC dopados de tipo n tienen eficiencia de dopaje y estabilidad del aire de dopaje?
- En esta revisión, se abordó cuidadosamente el tema de la eficiencia de dopaje y la estabilidad del aire de dopaje en los OSC dopados de tipo n. Primero, aclaramos los principales factores que influyeron en la eficiencia del dopaje químico en OSC de tipo n y luego explicamos el origen de la inestabilidad en películas dopadas de tipo n en condiciones ambientales.
- ¿Se puede utilizar el dopaje sustitutivo de semiconductores bidimensional para películas delgadas?
- En este estudio, ideamos un método preciso para el dopaje sustitutivo de semiconductores bidimensional (2D), que permite la producción de películas delgadas de 2H-MoTe 2 a escala de oblea con dopaje específico de tipo p o tipo n.
- ¿Cómo afecta el dopaje a un dispositivo semiconductor?
- El dopaje, que implica la introducción deliberada de átomos de impurezas específicos en cantidades controladas en un semiconductor para modificar sus propiedades eléctricas, es el poder real en la fabricación de varios dispositivos semiconductores.
- ¿Es el dopaje de tipo n mejor que el dopaje de tipo P?
- Sin embargo, en comparación con el dopaje de tipo p, el dopaje de tipo n es mejor que el dopaje de tipo P. El dopaje, el dopaje de tipo n, ha quedado muy rezagado. El logro de un dopaje de tipo n eficiente y estable en el aire en los OSC ayudaría a mejorar significativamente el transporte de electrones y el rendimiento del dispositivo, y a dotarlos de nuevas funcionalidades, que, por lo tanto, están ganando cada vez más atención en la actualidad.
