Unión pn lateral de MoS2 formada por dopaje químico
- Clasificación:Agente químico auxiliar
- N.º CAS:117-84-0
- Otros nombres:DOP Bis(2-etilhexil) ftalato
- MF:C24H38O4, C24H38O4
- N.º EINECS:201-557-4
- Pureza:99,0 % mín.
- Tipo:Plastificante, ftalato de dioctilo
- Uso:Productos de PVC, agentes auxiliares de revestimiento, auxiliares para cuero Agentes,
- MOQ: 200 kg
- Paquete: 200 kg/batalla
- Certificado::COA
Este estudio sugiere una forma efectiva de formar una unión pn lateral mediante la técnica de enmascaramiento duro h-BN y de mejorar la fotorrespuesta de MoS2 mediante el dopaje químico
Por lo tanto, este estudio sugiere una forma efectiva de formar una unión pn lateral mediante la técnica de enmascaramiento duro h-BN y de mejorar la fotorrespuesta de MoS2 mediante el proceso de dopaje químico.
Unión p–n vertical delgada definitiva compuesta por dos Naturaleza
- Clasificación:Agente químico auxiliar, Agente químico auxiliar
- CAS no 117-84-0
- Otros nombres:Dop
- MF:C6H4(COOC8H17)2
- EINECS No.:201-557-4
- Pureza:99.5%min
- Tipo:Adsorbente, plastificante
- Uso:Agentes auxiliares plásticos, plastificante
- MOQ::10 Toneladas
- Paquete: 25 kg/tambor
- Forma: Polvo
- Pago: T/T
- Aplicación: Plastificante de PVC
Choi, MS et al. Unión pn lateral de MoS2 formada por dopaje químico para su uso en optoelectrónica de alto rendimiento. ACS Nano 8,9332–9340 (2014) . Artículo CAS Google Scholar
Unión pn lateral de MoS 2 formada por dopaje químico para su uso en optoelectrónica de alto rendimiento Min Sup Choi 1, 2, Deshun Qu 1, 2, Curvas D de diodos pn de MoS 2 antes
Unión pn lateral de MoS2 formada por dopaje químico
- Clasificación:Agente químico auxiliar
- N.º CAS:117-84-0
- Otros nombres:DOP/Ftalato de dioctilo
- MF:C6H4(COOC8H17)2
- N.º EINECS:201-557-4
- Pureza:99,5 %, 99,9 % mín.
- Tipo:Explosión petrolífera
- Uso:Agentes auxiliares de revestimiento, agentes auxiliares de cuero, agentes auxiliares de plástico, agentes auxiliares de caucho Agentes
- MOQ: 200 kg
- Paquete: 200 kg/batalla
- Resistividad de volumen: 114
Este artículo demuestra una técnica para formar una unión pn de MoS2 2D homogénea lateral mediante el apilamiento parcial de h-BN 2D como máscara para dopar MoS2. El MoS2 lateral fabricado
Choi, MS et al. Unión p–n de MoS 2 lateral formada mediante dopaje químico para su uso en optoelectrónica de alto rendimiento. ACS Nano 8,9332–9340 (2014). Artículo CAS PubMed
Unión pn lateral de MoS2 formada por reacción química
- Clasificación:Agente químico auxiliar
- N.º CAS:117-84-0
- Otros nombres:DOP
- MF:C24H38O4, C24H38O4
- N.º EINECS:201-557-4
- Pureza:99 % mín.
- Tipo:aditivo de PVC
- Uso:Agentes auxiliares de plástico, Agentes auxiliares de plástico, Agentes auxiliares de caucho
- MOQ::10 Toneladas
- Paquete: 25 kg/tambor
- Ventaja: Estable
- Pago: T/T
Por lo tanto, este estudio sugiere una forma eficaz de formar una unión pn lateral mediante la técnica de enmascaramiento duro h-BN y de mejorar la fotorrespuesta de MoS2 mediante un proceso de dopaje químico. Fabricación de la
La unión pn lateral MoS2/MoO3 exhibe una fotorrespuesta altamente eficiente y un comportamiento rectificador ideal, con una eficiencia cuántica externa máxima de ∼650%, ∼3,6 mA
Dispositivos de homojunción de MoS2 monocapa lateral preparados por
- Clasificación:Agente químico auxiliar, Agente químico auxiliar
- CAS no 117-84-0
- Otros nombres:Ftalato de dioctilo DOP
- MF:C6H4(COOC8H17)2
- EINECS No.:201-557-4
- Pureza:99,5%, 99,9% mín.
- Tipo:Aditivos químicos, Plastificante químico dop 99%
- Uso:Agentes auxiliares de revestimiento, Agentes auxiliares de cuero, Productos químicos de papel, Agentes auxiliares de plástico, Auxiliares de caucho Agentes
- MOQ: 200 kg
- Paquete: 200 kg/batalla
- Lugar de origen: China
- Ventaja: estable
Después del dopaje de N 2 + , la función de trabajo aumentó y el nivel de Fermi de la monocapa de tipo p MoS 2 se desplazó hacia la banda de valencia y un campo eléctrico incorporado desde el n
Aquí, empleamos viológeno de bencilo (BV) como un dopante electrónico efectivo para parte del área de una lámina de BP de pocas capas (tipo p) y logramos una unión P–N en el plano estable al ambiente. El dopaje químico con moléculas de BV modula la densidad electrónica y permite adquirir un gran potencial incorporado en esta unión P–N en el plano de BP, lo cual es crucial
- ¿Qué tan eficiente es una unión pn lateral de Mos 2?
- La unión p–n lateral de MoS 2 fabricada con electrodos asimétricos de Pd y Cr/Au mostró una fotorrespuesta altamente eficiente (eficiencia cuántica externa máxima de ∼7000%, detectividad específica de ∼5 × 10 10 Jones y relación de conmutación de luz de ∼10 3) y un comportamiento rectificador ideal.
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- En este artículo, las homojunciones MoS monocapa laterales se prepararon mediante una técnica de dopaje selectivo con plasma de nitrógeno. Las películas delgadas de monocapa de MoS se sintetizaron por deposición química de vapor y se caracterizaron por fotoluminiscencia, microscopio de fuerza atómica y espectroscopia Raman.
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- ¿Cuáles son las imágenes de microscopio de fuerza atómica para un MoS2?
- Imágenes de microscopio de fuerza atómica (las barras de escala son 3 μm) para un MoS2(a) antes y (b) después del dopaje con 20 mM de AuCl3. La formación de nanoagregados de Au comprende la transferencia de carga superficial entre iones AuCl4 y MoS 2. 3 2. Electrodos y efectos de dopaje químico para transistores MoS2
- ¿En qué se diferencia el transporte de portadores ambipolares de las uniones pn unipolares de MoS2?
- A diferencia del MoS2 unipolar habitual, las uniones p–n de MoS2 muestran transporte de portadores ambipolares, rectificación de corriente a través de modulación de barrera de potencial en películas más gruesas que 8 nm y rectificación de corriente inversa a través de tunelización en películas más delgadas que 8 nm.
- ¿El dopaje degenerado con NB afecta a los cristales de MoS2?
- Sin embargo, el dopaje sustitucional en semiconductores bidimensionales está en una etapa comparativamente temprana y los efectos resultantes están menos explorados. En este trabajo, informamos sobre los efectos inusuales del dopaje degenerado con Nb sobre las características estructurales, electrónicas y ópticas de los cristales de MoS2.
