Dopaje de semiconductores: definición, tipos
- Clasificación:Agente químico auxiliar
- N.º CAS:117-84-0
- Otros nombres:Ftalato de dioctilo DOP
- MF:C6H4(COOC8H17)2
- N.º EINECS:201-557-4
- Pureza:99
- Tipo:Plastificante líquido aceitoso incoloro DOP para PVC y caucho
- Uso:Agentes auxiliares de revestimiento, Productos químicos para electrónica, Agentes auxiliares para cuero, Agentes auxiliares para plástico, Auxiliares para caucho Agentes
- MOQ: 200 kg
- Paquete: 200 kg/batalla
- Aplicación: plastificante de PVC
Existen dos tipos principales de dopaje de semiconductores: tipo P y tipo N. Juntos, dan lugar a un semiconductor extrínseco. 1. Tipo P. En el dopaje de tipo P, las impurezas crean un exceso de huecos con carga positiva en el cristal.
El dopaje químico es un enfoque importante para manipular la concentración y el transporte de portadores de carga en semiconductores orgánicos (OSC)1–3 y, en última instancia, mejora
Operación de dopaje de AT por transmutación neutrónica de silicio
- Clasificación:Agente químico auxiliar
- N.º CAS:117-84-0
- Otros nombres:DOP, ftalato de dioctilo, 1,2-ftalato
- MF:C24H38O4
- N.º EINECS:201-557-4
- Pureza:99,5, ≥99,5
- Tipo:Adsorbente, negro de carbón
- Uso:Agentes auxiliares de revestimiento, agentes auxiliares de plástico, agentes auxiliares de caucho
- MOQ::10 Toneladas
- Paquete: 25 kg/tambor
- Forma: Polvo
- Aplicación: Plastificante de PVC
p. ; 30 cm. (Serie IAEA-TECDOC, ISSN 1011-4289 ; no. 1681) ISBN
El dopaje químico de semiconductores moleculares se basa en reacciones de transferencia de electrones entre el semiconductor y las moléculas dopantes; aquí, el potencial redox del
El dopaje en la electrónica natural 2D
- Clasificación:Agente químico auxiliar
- N.º CAS:117-84-0
- Otros nombres:DOP Bis(2-etilhexil) ftalato
- MF:C6H4(COOC8H17)2
- N.º EINECS:201-557-4
- Pureza:99 %
- Tipo:Plastificante, ftalato de dioctilo
- Uso:Agentes auxiliares de revestimiento, Productos químicos para electrónica, Agentes auxiliares para cuero, Agentes auxiliares para plástico, Auxiliares para caucho Agentes
- MOQ: 200 kg
- Paquete: 200 kg/batalla
- Ventaja: estable
- Pago: T/T
En comparación, los transistores de efecto de campo de disulfuro de molibdeno que han sido dopados directamente con el mismo dopante molecular (trifenilfosfina, un dopante de tipo n) muestran una
El dopaje eficiente para la creación de portadores de carga es clave en la tecnología de semiconductores. En el caso del silicio, el dopaje eficiente mediante impurezas superficiales ya se demostró en 1949 (). En el desarrollo de más semiconductores
7.1.4: Semiconductores: brechas de banda, colores
- Clasificación:Agente químico auxiliar, Agente químico auxiliar
- CAS no 117-84-0
- Otros nombres:Ftalato de dioctilo
- MF:C24H38O4
- EINECS No.:201-557-4
- Pureza:99,5
- Tipo:Aditivos químicos, Plastificante químico dop 99%
- Uso:Productos de PVC, Agentes auxiliares de revestimiento, Agentes auxiliares de cuero,
- MOQ:200kgs
- Paquete:200kgs/batalla
- Aplicación:PVC Plastificante
El nivel de Fermi de un semiconductor dopado está unas pocas decenas de mV por debajo de la banda de conducción (tipo n) o por encima de la banda de valencia (tipo p). Como se señaló anteriormente, el dopaje de semiconductores cambia drásticamente su conductividad. Para
El "dopaje" de semiconductores, es decir, la manipulación local de su conductividad, es una tecnología clave para los dispositivos electrónicos. Sin dopaje, por ejemplo, una muestra de nitruro de galio más grande que la Casa Blanca sería
Nanomateriales semiconductores dopados: aplicaciones
- Clasificación:Agente químico auxiliar
- N.º CAS:117-84-0
- Otros nombres:Dop
- MF:C6H4(COOC8H17)2
- N.º EINECS:201-557-4
- Pureza:99
- Tipo:Plastificante, ftalato de dioctilo
- Uso:Agentes auxiliares de revestimiento, agentes auxiliares de cuero, productos químicos de papel, agentes auxiliares de plástico, agentes auxiliares de caucho
- MOQ::10 Toneladas
- Paquete: 25 kg/tambor
- Forma: polvo
- Lugar de origen: China
- Artículo: T/T, L/C
El dopaje de nanomateriales semiconductores. Es bien sabido que la mayoría de los semiconductores son materiales cerámicos con una estructura cristalina definida; cuando un átomo o un
El “dopaje” de semiconductores, es decir, la manipulación local de su conductividad, es una tecnología clave para los dispositivos electrónicos. Sin el dopaje, por ejemplo, una muestra de nitruro de galio más grande que la Casa Blanca sería
- ¿Qué es el dopaje químico de semiconductores moleculares?
- Proporcionado por la iniciativa de intercambio de contenido Springer Nature SharedIt El dopaje químico de semiconductores moleculares se basa en reacciones de transferencia de electrones entre el semiconductor y las moléculas dopantes; aquí, el potencial redox del dopante es clave para controlar el nivel de Fermi del semiconductor1,2.
- ¿Qué es el dopaje de semiconductores?
- El dopaje de semiconductores es un proceso clave en electrónica. Implica agregar pequeñas cantidades de impurezas específicas a un material semiconductor puro, como el silicio, para cambiar sus propiedades eléctricas. Este proceso ayuda al semiconductor a conducir mejor la electricidad y hace que los dispositivos electrónicos como transistores y diodos funcionen correctamente.
- ¿Qué es el dopaje químico?
- Proporcionado por la iniciativa de intercambio de contenido Springer Nature SharedIt El dopaje químico es un enfoque importante para manipular la concentración y el transporte de portadores de carga en semiconductores orgánicos (OSC)1–3 y, en última instancia, mejora el rendimiento del dispositivo4–7.
- ¿Cuáles son los productos más exitosos basados en el dopaje?
- El producto más exitoso hasta ahora es la pantalla de diodos orgánicos emisores de luz con un mercado multimillonario en dólares estadounidenses, que utiliza el dopaje por coevaporación controlada de semiconductores de moléculas pequeñas y moléculas dopantes ( 5 ). La naturaleza microscópica del dopaje en semiconductores orgánicos es muy diferente a la de los semiconductores inorgánicos (6).
- ¿El silicio es un material dopado?
- El silicio es instrumental como material de matriz para ser dopado en la mayoría de los dispositivos semiconductores, mientras que otros materiales, aunque en menor medida, también se utilizan. Un semiconductor intrínseco, también llamado semiconductor no dopado, es un material puro sin ninguna especie dopante significativa presente.
- ¿Cómo funciona el dopaje en la interfaz de la heteroestructura?
- El dopaje eficiente en la interfaz de la heteroestructura se logra mediante la transferencia de carga desde el semiconductor de banda ancha al semiconductor de banda estrecha. La principal ventaja de esta técnica de dopaje es evitar la dispersión de impurezas ionizadas en el semiconductor de banda estrecha no dopado.
